Разработаны методы генерации плазмы бора в разрядных системах низкого давления для нанесения борсодержащих покрытий на основе:
Проблема нанесения покрытий бора на поверхность в разрядных системах низкого давления затруднена низкой электрической проводимостью бора (уровня 10 МОм×см) при нормальных условиях. Это делает практически невозможным использование бора в качестве плазмообразующего материала электродов в магнетронных или дуговых разрядных системах и затрудняет фокусировку электронного пучка в процессах электронно-лучевого испарения этого материала. В результате проведенных в течение последних лет исследований были разработаны и реализованы оригинальные подходы к генерации плазмы на основе разрядов с борсодержащими электродами (мишенями), в которых плотность плазмы бора была существенно повышена. Суть этих подходов заключается в следующем. Поскольку бор относится к полупроводникам, он имеет отрицательный температурный коэффициент сопротивления и при нагреве сопротивление электрода из бора значительно уменьшается, позволяя использовать катод из бора в качестве электрода разрядной системы. В магнетронном разряде термоизолированная мишень (катод) из чистого кристаллического бора нагревалась до температуры (500 - 700)°С вспомогательным слаботочным высоковольтным разрядом, а вакуумном дуговом разряде нагрев катода из бора был обеспечен внешним резистивным нагревателем. Это позволяло зажигать эти разряды и обеспечить генерацию плазмы. В случае электронно-лучевого испарения использование форвакуумного плазменного источника электронов, функционирующего при давлении уровня 10 Па, обеспечивало нейтрализацию отрицательного поверхностного заряда на поверхности мишени ионами пучковой плазмы, и, в свою очередь, обеспечивало фокусировку пучка, нагрев и испарение мишени из бора. Реализация этих трех методов позволила осуществлять нанесение покрытий бора на различные поверхности.
Магнетронное распыление | ||
---|---|---|
Ток в непрерывном режиме | до 200 мА | |
Мощность разряда | до 200 Вт | |
Скорость нанесения покрытия бора | до 10 нм/мин | |
Вакуумное дуговое напыление | ||
Амплитуда импульса тока вакуумной дуги | до 200 А | |
Длительность импульса | 100 мкс | |
Частота повторения импульсов | 10 Гц | |
Скорость нанесения покрытия бора | до 20 нм/мин | |
Электронно-лучевое испарение | ||
Ток электронного пучка | до 200 мА | |
Энергия электронов | до 20 кэВ | |
Плотность мощности на мишени | до 500 Вт/мм2 | |
Скорость нанесения покрытия бора | до 1 мкм/мин |
Импульсная вакуумная дуга | ||
---|---|---|
Амплитуда импульса тока ионного пучка
при параметрах разрядных импульсов 200 А, 100 мкс, 10 Гц |
до 1000 мА | |
Ускоряющее напряжение | до 30 кВ | |
Импульсный сильноточный магнетронный разряд | ||
Амплитуда импульса тока ионного пучка
при параметрах разрядных импульсов 40 А, 100 мкс, 30 Гц |
до 300 мА | |
Ускоряющее напряжение | до 20 кВ |