Источник предназначен для генерации сильноточных (до 5 А) потоков газовых ионов ультранизкой энергии (менее 20 эВ) в непрерывном режиме. Степень загрязнения потока ионов рабочего газа продуктами распыления электродов составляет не более 0,001%.
Источник имеет совокупность параметров, которая делает его конкурентоспособным с широко используемыми торцевыми холловскими ускорителями и УЗДП, но отличает его узким энергетическим спектром ионов.
Совокупность параметров источника позволяет эффективно использовать устройство для нанесения сверхчистых покрытий методом ионного распыления мишени, в том числе и в технологиях изготовления полупроводниковых элементов.
Источник основан на оригинальной разрядной системе с дуговым холодным полым катодом, системой фильтрации плазмы и инжекцией электронов в область аксиально симметричного расходящегося магнитного поля. Источник имеет безэлектродную систему ускорения ионов, основанную на эффекте Холла.
Энергия ионов в генерируемом потоке ниже порога распыления предотвращает нежелательное ионное распыление электродов и элементов разрядной системы и стенок камеры, за исключением распыляемой подложки, на которую подается регулируемый отрицательный потенциал.
Режим работы | непрерывный |
Ток эмиттерного разряда | 5-37 А |
Напряжение основного разряда | 5-25 В |
Энергия ионов | до 20 эВ |
Ионный ток на подложку диаметром 25 см на расстоянии от источника 25 см | до 5 А |
Рабочие газы | Инертные газы, кислород, азот (добавка в камеру до 20%) |
Расход газа | 5-20 см3·атм/мин |
Рабочее давление в камере | 0.4-2 мТорр |
Период технического обслуживания | 100 часов |
Ресурс работы эмиттера | неограничен |