ОЗУР Григорий Евгеньевич


Сведения о диссертации

Соискатель ОЗУР Григорий Евгеньевич
Тип диссертации докторская
Отрасль науки технические науки
Тема диссертации ИСТОЧНИКИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ СИЛЬНОТОЧНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ НА ОСНОВЕ ПУШЕК С ПЛАЗМЕННЫМ АНОДОМ И ВЗРЫВОЭМИССИОННЫМ КАТОДОМ
Шифр научной специальности: 05.27.02 – вакуумная и плазменная электроника
Дата размещения объявления 23.05.2008
Дата защиты 27.03.2009
Автореферат   (23.05.2008)
Место проведения защиты Институт сильноточной электроники СО РАН
634055, г. Томск-55, пр. Академический, 2/3. ИСЭ СО РАН
Телефон (382-2) 492-586
E-mail pegel@lfe.hcei.tsc.ru
Образование

В ИСЭ СО РАН впервые в России реализовали вакуумное магнетронное распыление в непрерывном режиме

Исследователи из Института сильноточной электроники СО РАН предложили уникальную технологию вакуумного магнетронного распыления

EFRE 2024

The 9th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2024)

Целевое обучение

Подробная инструкция по поступлению на целевое обучение по программе аспирантуры

Полученные томскими электрофизиками магнитозвуковые волны помогут в решении проблемы зажигания термоядерной реакции

Коллектив ученых ИСЭ СО РАН под руководством доктора физ.-мат. наук Владимира Орешкина экспериментально зарегистрировал и теоретически описал генерацию магнитозвуковых волн при взрывном сжатии проводников мегаамперными импульсами тока.

СМИ О НАС

Публикации, статьи, видео об институте

Аспирантура

В настоящее время Институт осуществляет обучение по программам высшего образования – программам подготовки научно-педагогических кадров по 2 направлениям и 4 профилям.

ОБЪЯСНЯЕМ.РФ

Правительством РФ запущен интернет-портал портал Объясняем.рф – официальный ресурс для информирования граждан по актуальным вопросам о социально-экономической ситуации в России.

Национальный проект Наука и университеты

XXI век — время прорывных технологий и невероятных инноваций, создавать которые — профессия завтрашнего дня!

Десятилетие науки и технологий

Открылась обновленная экспозиция "Десятилетие науки и технологий" на Международной выставке-форуме "Россия"

Об Институте за две минуты

Видеоролик об Институте сильноточной электроники СО РАН

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт сильноточной электроники
Сибирского отделения Российской академии наук

Россия, 634055, г. Томск, проспект Академический, 2/3

Тел. +7 (3822) 491-544
Факс +7 (3822) 491-410
E-mail: contact@hcei.tsc.ru


vk.com
Разработка и оформление web@hcei.tsc.ru