Подведены итоги конкурса на замещение должностей младших научных сотрудников


Подведены итоги конкурса на замещение должностей младших научных сотрудников.
Протокол заседания конкурсной комиссии ИСЭ СО РАН № 37 от 31.03.2023

Национальный проект Наука и университеты

XXI век — время прорывных технологий и невероятных инноваций, создавать которые — профессия завтрашнего дня!

Полученные томскими электрофизиками магнитозвуковые волны помогут в решении проблемы зажигания термоядерной реакции

Коллектив ученых ИСЭ СО РАН под руководством доктора физ.-мат. наук Владимира Орешкина экспериментально зарегистрировал и теоретически описал генерацию магнитозвуковых волн при взрывном сжатии проводников мегаамперными импульсами тока.

Целевое обучение

Подробная инструкция по поступлению на целевое обучение по программе аспирантуры

Десятилетие науки и технологий

Открылась обновленная экспозиция "Десятилетие науки и технологий" на Международной выставке-форуме "Россия"

СМИ О НАС

Публикации, статьи, видео об институте

EFRE 2024

The 9th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2024)

ОБЪЯСНЯЕМ.РФ

Правительством РФ запущен интернет-портал портал Объясняем.рф – официальный ресурс для информирования граждан по актуальным вопросам о социально-экономической ситуации в России.

Аспирантура

В настоящее время Институт осуществляет обучение по программам высшего образования – программам подготовки научно-педагогических кадров по 2 направлениям и 4 профилям.

В ИСЭ СО РАН впервые в России реализовали вакуумное магнетронное распыление в непрерывном режиме

Исследователи из Института сильноточной электроники СО РАН предложили уникальную технологию вакуумного магнетронного распыления

Об Институте за две минуты

Видеоролик об Институте сильноточной электроники СО РАН

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт сильноточной электроники
Сибирского отделения Российской академии наук

Россия, 634055, г. Томск, проспект Академический, 2/3

Тел. +7 (3822) 491-544
Факс +7 (3822) 491-410
E-mail: contact@hcei.tsc.ru


vk.com
Разработка и оформление web@hcei.tsc.ru